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片的发展 目前,led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新材料。无论是面向重点照明和整体照明的高功
http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/1/146127.html2011/4/1 22:46:00
.86的黄光 led等。由于製造採用了镓、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为叁元素发光管。 而gan(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光le
http://blog.alighting.cn/nonuea12/archive/2011/4/19/166205.html2011/4/19 21:26:00
宜的陶瓷（如氧化铝陶瓷），也可以采用导热性强但价格十分昂贵的陶瓷（如氮化铝陶瓷）。总而言之，陶瓷基板的成本高于mcpcb和增强散热型印刷电路板基板。为替代上述基板，led厂商正在测
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/8/177210.html2011/5/8 15:58:00
0年的1200亿颗增长到1650亿颗，增长超过40%;而到了2013年，led的芯片出货量将达到2010年的两倍。整体而言，2011年氮化镓led的市场仍将延续2010年的成长力
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180478.html2011/5/27 22:35:00
要应用于科学分析设备以及研发用途。uvc led预计要在2014年以后才能全面进入水及空气净化市场。 uvc市场的增长与能够延长设备寿命的氮化铝（aln）块体基板的供应能力有很
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222026.html2011/6/19 22:45:00
到了2013年，led的芯片出货量将达到2010年的两倍。整体而言，2011年氮化镓led的市场仍将延续2010年的成长力道，维持向上格局。imsresearch的预估，2011
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222070.html2011/6/19 23:06:00
光的acled，其次是美国iii-ntechnology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二
http://blog.alighting.cn/breadtree/archive/2011/6/20/222171.html2011/6/20 13:49:00
件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面，除传统蓝宝石基底材料外，硅(si)、碳化硅(sic)、氧化锌(zno)、氮化镓(gan)...
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
式整流器，它也能够应用于交流环境，非常具有弹性。在高压发光二极体中，外部整流器舍弃ac led采用同质氮化镓的做法而改采用硅整流器，不仅使得耗能少，更可防止逆向偏压过大对晶片所造
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229849.html2011/7/17 22:37:00
.86的黄光 led等。由於氧造?裼昧随?、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而gan(氮化??)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00
