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件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面，除传统蓝宝石基底材料外，硅(si)、碳化硅(sic)、氧化锌(zno)、氮化镓(gan)...
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
式整流器，它也能够应用于交流环境，非常具有弹性。在高压发光二极体中，外部整流器舍弃ac led采用同质氮化镓的做法而改采用硅整流器，不仅使得耗能少，更可防止逆向偏压过大对晶片所造
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229849.html2011/7/17 22:37:00
.86的黄光 led等。由於氧造?裼昧随?、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而gan(氮化??)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00
、si、zno衬底还处于研发阶段,离产业化还有一段距离。氮化镓：用于gan生长的最理想衬底是gan单晶材料,可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
高，假如散热器做得不好，那么结温就会升得很高。 2.3led不同于整流二极管，它不是采用一般的硅材料做成的，而是采用特殊的材料（例如氮化镓）制成。所以它的伏安特性的温度特性也不同
http://blog.alighting.cn/guangxi/archive/2011/7/27/230957.html2011/7/27 13:34:00
d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而gan（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232817.html2011/8/19 0:28:00
6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而gan（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233064.html2011/8/19 23:50:00
国 iii-n technology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233114.html2011/8/20 0:04:00
装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片，内部的联线是混联型式，即有多个芯片的串联、又有好几路的并联。这
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233119.html2011/8/20 0:05:00
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00
