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p（金球）与si衬底上对应的bump通过共晶焊接在一起，si衬底通过粘接材料与器件内部热沉粘接在一起。为了有较好的出光效果，热沉上制作有一个聚光杯，芯片安放在杯的中央，热沉选用高导
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
光在第4季需求转淡，也促使led照明比重成长，据估计，晶电2010年照明比重将达到2成以上，2011年可望成长至3成，而泰谷第4季在高功率照明的比重则可望提高至近3成，璨圆也预计在
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2010/12/14/120777.html2010/12/14 15:53:00
台湾led磊晶大厂今年11月份营收表现，消长互异，晶电、泰谷持续较上月微幅减少2%-3%，璨圆大致持平，鼎元回升6%，隆达增幅达11%。
https://www.alighting.cn/news/20101214/115654.htm2010/12/14 10:30:26
晶电相关负责人指出，晶电2011年扩产幅度将达3成，其中南亚光电、晶电与光宝合作的常州厂及晶电台湾厂均为扩产范围。晶电集团当中包含的广镓、泰谷也都有一定程度的扩产计划，高亮度蓝
https://www.alighting.cn/news/20101214/115686.htm2010/12/14 9:33:53
球温度比对。 b.焊线最佳参数比对。c.焊线弧高及弧度之范围,做弧高量测。 d.金线拉力试验。 e.晶球推力试验。 f.焊线能力评估。 注:以上项目评估时,需与现用品(同级品)同
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120559.html2010/12/13 23:07:00
状 ingaalp超高亮度红（橙、黄）光led问世于1991年，经过改进的结构如图1所示。我国起步于1996年，南昌欣磊公司首先用进口的ingaalp外延片制成芯片，1998年国内第一台生产
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
机金属和ⅴ族的nh3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。mocvd外延炉是制作led外延片最常
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
商在散热基板鳍片、散热模块的设计上费尽苦心，组装完毕需在灯具散热模块外面，加烤漆保护以防气候侵蚀。不料这个外部保护的喷漆却把散热模块的热度又封了回去，造成散热不良导致led磊晶光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120525.html2010/12/13 22:55:00
晶能光电(江西)有限公司董事长江风益： 晶能光电先后推出了2类4种规格的硅衬底led芯片，年产能达到30亿粒(小芯片)。 “在氮化镓基半导体发光材料领域，晶能光电创造性发
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
作开发；金属材料也是由材料所研发，另外目前全球拥有低温晶矽tft技术的公司不多，而台湾工研院电子所即是其中之一，对台湾在oled的发展上也提供了不少的助力，因此台湾未来在oled产
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
