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往国际市场。第二，具有优良的性能：产品抗静电性能好，寿命长，可承受的电流密度高。第三，器件封装工艺简单：芯片为上下电极，单引线垂直结构，在器件封装时只需单电极引线，简化了封装工艺，节
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
对于有机电致发光器件，我们可按发光材料将其分为两种:小分子oled和高分子oled（也可称为pled）。它们的差异主要表现在器件的制备工艺不同:小分子器件主要采用真空热蒸发工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
o导电玻璃，常用ito玻璃。 2 载流子输送材料 1）空穴输送材料（htm）要求htm有高的热稳定性，与阳极形成小的势垒，能真空蒸镀形成无针孔薄膜。最常用的htm均为芳香多胺类化
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00
这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和p型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
-70％的能量主要以非辐射复合发生的点阵振动的形式转化热能。而芯片温度的升高，则会增强非辐射复合，进一步消弱发光效率。因为，人们主观上认为大功率led没有热量，事实上确有。大量的
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120510.html2010/12/13 22:47:00
上。 切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。 退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表
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验样品不包装、不通电，按其预定使用位置固定在试验台中央，振动方向为垂直方向， 振动严酷度为： ——频率范围：10hz～55hz～10hz； ——振幅：0.35mm； ——扫描速
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120496.html2010/12/13 22:33:00
单灯在路面上的照度分布应为一矩形。 5.4.10led热阻应≤12℃/w。 5.5安全要求 led路灯应符合gb7000.5的要求，普通照明用led模组应符合ie
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120495.html2010/12/13 22:32:00
“垂直整合”是2010年上海照明，甚至中国照明产业乃至全球led产业热议的话题，无论是从上至下整合还是从下至上的整合，无疑都会对那些专注于封装的企业产生极大的压力。这种压力包括未
http://blog.alighting.cn/flashhsj/archive/2010/12/13/120441.html2010/12/13 16:55:00
②．静电放电破坏，使元件受损不能工作(完全破坏)。 ③．静电放电电场或电流产生的热，使元件受伤（潜在损伤）。 第③种情况较为普遍，也很难被及时发
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