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深度分析:为什么管中管节能灯如此节能?

势突出表现为: 1.在管中管核心部分,采用专用的纯三基色粉以及先进的安全隔离保护系统、散热材料研发生产。精密电子镇流器直接设计安装在灯管两端,通过特殊散热材料与灯管连成一体,无需作任

  http://blog.alighting.cn/dcwgzg01/archive/2011/7/7/228924.html2011/7/7 16:14:00

oled新技术崭露头角

解,oled使用的材料有小分子和高分子两种,目前产业化的主要以小分子有机材料为主。在飞利浦展位上,现场推出一款“living shapes”互动镜子,乍看是一块网格状发光的玻璃面板。

  http://blog.alighting.cn/188279/archive/2013/7/12/320812.html2013/7/12 9:17:48

a级光幕天花/透光膜 众里寻她千百度 蓦然回首"易饰天"

易饰天a级不燃透光膜(光幕天花、发光天井),是我公司结合航天部门防火技术要求开发的一种新型不燃环保透光材料(所有原材料为日本进口材料)(防火性能:防火a级—不燃,gb8624

  http://blog.alighting.cn/rentong2008/archive/2009/4/19/3035.html2009/4/19 10:31:00

led主要参数与特性

led是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性:i-v特性、c-v特性和光学特性:光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。本文将为你详

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

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