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[转载]LED灯具、LED射灯及LED灯泡的功率效率问题

程师,他对此也有深有感想: 1.首先是关于LED光源的问题。在小功率LED的光源方面,普遍要比大功率的高点,能达到一百多流明每瓦不太难,1w的光源批量超过100流明每瓦的实测数

  http://blog.alighting.cn/led9898/archive/2011/1/5/126134.html2011/1/5 17:55:00

chuong tran:固态照明--成就和挑战

chuong tran 博士在回顾了光效提高的过程,认为现在固态照明光源的光效已完全可匹敌节能灯和荧光灯,只不过价格是最大的障碍,只要不断降低各个环节的成本,固态照明光源就可大面

  https://www.alighting.cn/news/20080802/104247.htm2008/8/2 0:00:00

白光LED头灯技术发展与目前研究现况

光夺目的白光LED车灯款式。 过去,曾经有人将LED称为第4代汽车照明光源,这是因为LED头灯除了一次性投入较高之外,在寿命、亮度、低耗电方面,都是传统白炽灯、卤素灯等照明设备无法相

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133881.html2011/2/19 23:39:00

白光LED头灯技术发展与目前研究现况

光夺目的白光LED车灯款式。 过去,曾经有人将LED称为第4代汽车照明光源,这是因为LED头灯除了一次性投入较高之外,在寿命、亮度、低耗电方面,都是传统白炽灯、卤素灯等照明设备无法相

  http://blog.alighting.cn/159060/archive/2013/1/20/308182.html2013/1/20 19:19:08

LED芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

LED芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

LED芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

LED芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

LED芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

LED芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

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