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6月10日，在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报告
https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40
本文对基于硅热沉的大功率led 封装阵列进行了热模拟,同时结合传热学基本原理分析计算了各部分的热阻,然后,对实际工艺制备出的封装器件的结温进行了测量。结果表明,理论计算值与仿真结果
https://www.alighting.cn/2015/2/5 11:08:11
结果表明,理论计算值与热仿真结果基本一致,测量值也能很好地与理论计算值相吻合。
https://www.alighting.cn/2015/1/5 12:12:11
芯片和封装材料膨胀系数不匹配造成的界面应力、长时间蓝光照射引起的光降解和光热耦合作用造成了器件灾变性失效。
https://www.alighting.cn/resource/20141219/123897.htm2014/12/19 9:41:29
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(al2o3
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄膜应
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
led光衰(led droop)是由俄歇复合(auger recombination)引起的。俄歇复合是一种在半导体中发生的，三个带电粒子互相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包
https://www.alighting.cn/news/201153/n979331737.htm2011/5/3 9:00:25
晶科电子“e系列”产品是基于apt专利技术—倒装焊接技术，实现了单芯片及多芯片模组的无金线、无固晶胶封装，具有高亮度、高光效、高可靠性、低热阻、颜色一致性好等特点。
https://www.alighting.cn/news/2012312/n920438104.htm2012/3/12 11:51:07
