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2012年12月18日——领先的led照明技术和解决方案开发商和制造商普瑞光电公司(bridgelux)本月庆祝其成立十周年。为纪念这一盛事，该公司宣布其中一个led已完成了连续4
https://www.alighting.cn/news/20130114/108945.htm2013/1/14 11:13:40
管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（gan）和铟氮化镓（ingan）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317133.html2013/5/14 10:41:23
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/27/320061.html2013/6/27 16:27:01
型欧姆接触以梳状插入其中，芯片尺寸，从而使当前的扩展距离可以缩短，以尽量减少支持和铟镓铝氮化物扩散阻力的esd保护二极管(esd)的硅芯片安装颠倒焊锡凸块。③陶瓷板倒装法。通用装
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
n）工作的39岁的中村修二终于发明了基于氮化镓和铟氮化镓的具有商业应用价值的蓝光led，从而引发了照明技术的新革命。凭借此项发明，他荣获2006年千禧科技奖，这相当于科技界的诺贝尔！不
http://blog.alighting.cn/smartlight/archive/2014/10/8/358650.html2014/10/8 11:00:54
备可以实现复杂的氮化镓、铟镓氮、铝镓氮超薄层结构的大批量生产，这些超薄层结构对于高亮度led是必需的。中微的mocvd设备不仅具有精准的参数控制、全自动化处理和独特的紧凑设计等特
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/4/1/313061.html2013/4/1 11:17:40
延材料是氮化铟镓(ingan)。发射波长的范围为450nm至 470nm,氮化铟镓led可以产生五倍于氮化镓led的光强。白光led真正发射白光的led是不存在的。这样的器件非常难
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229889.html2011/7/17 23:00:00
划的重点高新技术企业，是国家"863计划"成果产业化基地和国家"铟镓氮led外延片、芯片产业化"示范工程企业，其主导产品光电器国内市场占有率名列前
https://www.alighting.cn/news/20071031/V4083.htm2007/10/31 11:38:44
公司是国家火炬计划重点高新技术企业，国家“863计划”成果产业化基地，国家“铟镓氮led外延片、芯片产业化”示范工程企业，南昌国家半导体照明工程产业化基地核心企业。公司07年中
https://www.alighting.cn/news/2007925/V3953.htm2007/9/25 9:27:26
明更是重中之重。led行业的变动，使得与之相关的稀有金属铟、锗、镓等的市场需求将长期看
https://www.alighting.cn/news/20150529/129660.htm2015/5/29 9:30:52
