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为了在 p-gan 上获得低电阻的欧姆接触，人们对具有高反射系数和平滑表面形貌优点的金属蒸镀方法进行了研究。
https://www.alighting.cn/news/200858/V15509.htm2008/5/8 10:55:47
2015年1月26日 – 显示产品量子点解决方案的领先制造商qd vision公司日前宣布，欧盟委员会已授予其在电子电气设备中限用某些有害物质(rohs 2指令)的豁免权。这一裁定
https://www.alighting.cn/news/20150128/110296.htm2015/1/28 9:24:20
3月24日，矽电半导体设备（深圳）股份有限公司（以下简称“矽电股份”）在深交所创业板上市。
https://www.alighting.cn/news/20250328/177063.htm2025/3/28 11:40:43
运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法，对纤锌矿结构和氯化钠结构gan的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究，分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05
通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这为提
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
gan类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角？gan类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127604.htm2011/5/17 13:32:57
从现有水平看，硅衬底半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术，包括6英寸mocvd设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓droop效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。
https://www.alighting.cn/news/2010514/V23716.htm2010/5/14 9:42:25
目前国内外有很多led芯片厂家，然芯片分类没有统一的标准，国内外芯片技术对比方面，国外芯片技术新，国内芯片重产量不重技术。
https://www.alighting.cn/news/20140506/87007.htm2014/5/6 13:56:05
随着硅基板技术日渐成熟，由于成本以及电性考量，大厂开始尝试使用非蓝宝石基板技术来打造led。led业者认为，短期内硅基板led在规格及亮度表现仍显不足，与蓝宝石基板还是有落差，但若
https://www.alighting.cn/news/20121108/88977.htm2012/11/8 15:09:46
