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合led、大功率高亮度led，导热系数为：25.8 剪切强度为：14.7，为行业之最。 led芯片至封装体的热传导：采用胶体来把热量传导出去，对于gaas、sic导电衬底，具有背面电
http://blog.alighting.cn/ufuture/archive/2009/12/19/21822.html2009/12/19 11:59:00
、sic导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） 工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114806.html2010/11/17 22:42:00
术也需改善. 在led产业链接中,上游是led衬底晶片及衬底生产,中游的产业化为led芯片设计及制造生产,下游归led封装与测试.研发低热阻、优异光学特性、高可靠的封装技术是新型le
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114817.html2010/11/17 22:54:00
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115017.html2010/11/18 16:05:00
导体有源层及衬底、粘结衬底与热沉材料的热阻； rthsb(热沉到散热电路板) ＝热沉、连结热沉与散热电路板材料的热阻； rthba（散热电路板到空气/环境）＝散
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115543.html2010/11/20 23:43:00
胶。(对于gaas、sic导电衬底,具有背面电极的红光、 黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、 绿光led芯片,采用绝缘胶来固定芯片。) 工艺难点在于点胶量的控
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120405.html2010/12/13 14:40:00
属的电迁移的问题，但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同，主要是纵向迁移，即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7－11]，导致器件失效。由于没有匹配的衬底材料，外
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
.也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 c）点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、sic导电衬底，具有背面电极的红光、黄光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126995.html2011/1/12 0:38:00
配的衬底材料，外延生长的gan薄膜中往往包含有大量的缺陷，其大部分的是线性位错，器件工作时，接触金属的在电应力和热应力的作为下就会沿这些位错线迁移到达结区，从而形成低阻欧姆通道，造
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
m。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、sic导电衬底，具有背面电极的红光、黄光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
