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led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

研发led壁垒的探讨

5lm/w,甚至有更高的报道,它的光效提高趋势是传统光源望尘莫及的。  一般而言,led发光效率提高的途径主要是通过改进其内量子效率和外量子效率。内量子

  http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268488.html2012/3/16 13:47:07

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

光之解读

光到底是什么?这是一个值得研究和必须研究的问题。  当今物理学家已经达到了一个瓶颈:即相对论与量子论的冲突;到底光的本质是基本微粒还是像声音一样的波?  目前比较合理的观点是:

  http://blog.alighting.cn/130803/archive/2013/1/28/308802.html2013/1/28 11:58:54

高亮度芯片面临的发展瓶颈

平光效可以达到276lm/w。在led芯片成本下降和光效提升的这一竞赛中,目前正遇到以下几个发展瓶颈。  第一是蓝光芯片存在的droop效应。在大电流密度条件下,发光二极管的外量

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21

led工矿灯介绍led泛光灯、led补光灯产品知识

为组件的外部量子效率,其为组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积。所谓组件的内部量子效率,其实就是组件本身的电光转换效率,主要与组件本身的特性(如组件材料的能带、缺陷、杂质)、组

  http://blog.alighting.cn/205379/archive/2014/4/25/350835.html2014/4/25 21:42:33

压电—光电效应,可使led光电转化率提升约4.25倍

倍,令结点电流增强4倍,从而使光电转化率提高约4.25倍。而在合适外应力的作用下,新装置的外部效率可达到7.82%,大大超过了传统led的外量子

  https://www.alighting.cn/news/20111102/100248.htm2011/11/2 9:05:30

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