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led器件的温升效应及其对策

led器件的温升效应及其对策

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12410.htm2007/2/8 13:52:16

led器件的温升效应及其对策

led器件的温升效应及其对策

  https://www.alighting.cn/news/200728/V12410.htm2007/2/8 13:52:16

纳米材料与器件的电气测量方法

纳米材料与器件的电气测量方法

  https://www.alighting.cn/news/200728/V12363.htm2007/2/8 11:52:46

soraa拟在纽约建新厂 用于制造GaN on GaN led产品

美国公司soraa于21日宣布将与纽约州合作,在纽约州水牛城建立半导体制造工厂,并聘请数百名工人。新工厂准备用于制造最先进的GaN on GaN led产品,预计将在2015年投

  https://www.alighting.cn/news/20131122/111369.htm2013/11/22 10:45:30

led器件颜色评价

led器件的光辐射和自然界的所有颜色一样会对人眼产生视觉刺激,人们根据自己的感受评价led器件的颜色特性,为避免这种评价的主观性,必须用物理的方法来对颜色进行计量(色度学)。目

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/3/16/143137.html2011/3/16 23:29:00

汽车与照明市场扩容 凸显封装重要性

从市场应用而言,消费电子、计算机和网络通信是分立器件传统的三大应用市场,而近年来汽车电子和电子照明领域的分立器件市场也在迅速增长。目前国内分立器件尽管已经具有一定的产业规模,但

  https://www.alighting.cn/news/2008228/V14166.htm2008/2/28 10:40:51

利用氩气改善p型GaN led的性能

虽然GaN leds的发展相当成功,但是使用有机金属化学气相沉积(mocvd)制程却让它们的p型掺杂

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127976.htm2010/7/12 18:09:51

GaN led量子阱光发射模型

在分析GaN led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于inGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50

ims reseach:《GaN led季度供需报告》

近日,ims reseach 发布了最新《GaNg led季度供需报告》,报告显示,2011年 GaN led封装总产值为80亿美元,同比下降了6%。2016年,GaN led市

  https://www.alighting.cn/news/20120329/99682.htm2012/3/29 17:26:59

远程荧光粉器件研究

出自英特美光电(深圳)有限公司的一份关于介绍《远程荧光粉器件研究》的讲义资料,分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/11/15 16:34:07

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