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虽然GaN leds的发展相当成功，但是使用有机金属化学气相沉积(mocvd)制程却让它们的p型掺杂
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127976.htm2010/7/12 18:09:51
29日，本公司全资子公司-厦门市三安光电科技有限公司收到工业和信息化部《关于下达2009年度电子产业发展基金第一批项目计划的通知》（工信部财[2009]453号）文件。
https://www.alighting.cn/news/20090929/119548.htm2009/9/29 0:00:00
4月8日消息，由工业和信息化部、深圳市人民政府共同主办的第四届中国电子信息博览会(cite 2016)“cite创新之夜”活动在深圳会展中心圆满落下帷幕。全球1500余家企业齐聚深
https://www.alighting.cn/news/20160412/139214.htm2016/4/12 10:23:04
出自英特美光电（深圳）有限公司的一份关于介绍《远程荧光粉器件研究》的讲义资料，分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/11/15 16:34:07
在分析GaN led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于inGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50
近日，ims reseach 发布了最新《GaNg led季度供需报告》，报告显示，2011年 GaN led封装总产值为80亿美元，同比下降了6%。2016年，GaN led市
https://www.alighting.cn/news/20120329/99682.htm2012/3/29 17:26:59
分享一份来自国金证券研究所的《led行业2013下半年上游报告》，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20131104/125156.htm2013/11/4 15:30:50
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点中位
https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12
近日，世界级mocvd厂商-veeco宣布：其引进的turbodisc ? maxbright?氮化镓(GaN)有机金属化学气相沉积法(mocvd)多反应器系统，用于生
https://www.alighting.cn/pingce/20110210/123082.htm2011/2/10 13:30:04
美国能源部(doe)下属能源转换机构arpa-e已经选定氮化镓对氮化镓(GaN-on-GaN)新成立公司soraa来引领GaN基质研发项目。
https://www.alighting.cn/news/2012810/n169042119.htm2012/8/10 11:43:37
