检索首页
阿拉丁已为您找到约 5174条相关结果 (用时 0.2387951 秒)

n极性GaN薄膜的mocvd外延生长

采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性GaN薄膜。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56

ito表面粗化提高GaN基led芯片出光效率

本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00

如何在led商业照明实现自主创业?

拉的很长,从10年开始大手笔投资上游的led芯片及外延片开发,中游的led封装,以及下游通过收购和兼并的led显示屏(锐拓显示),led照明(自做照明到控股雷士照明),其日子也非常难

  http://blog.alighting.cn/lixianglive/archive/2014/11/26/361923.html2014/11/26 16:07:16

GaN基倒装焊led芯片的热学特性模拟与分析

采用了有限元方法建立了GaN基倒桩led芯片的三维热学模型,并对其温度分布进行模拟,比较了再不同凸点分布,不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分

  https://www.alighting.cn/resource/20141126/124009.htm2014/11/26 15:05:31

华灿光电王江波:倒装led芯片技术展望

华灿光电股份有限公司副总裁兼研发部经理王江波首先介绍了实现白光的两种方案,阐述了inGaN基led适合用于半导体照明的原因,并进一步讲解了影响高品质led的外延材料、芯片工艺、封

  https://www.alighting.cn/news/20141126/108455.htm2014/11/26 10:58:41

led设备国产化提速

“十二五规划”在2015年即将到期,led设备国产化的目标正在加速实现。目前从蓝宝石材料开始,一直到pss、外延、芯片端,再到最后的减薄等工艺,国产设备已经能够一部分地取代进口设

  https://www.alighting.cn/news/20141124/86788.htm2014/11/24 20:17:06

inGaN_GaN多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性

分析表明在老化过程中ingan/gan 多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加,形成了增强的极化电场屏蔽效应,减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变小

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19

停车场照明工程方案

要24小时照明。近年来led灯流行,市面上一个优质的铝基板led灯需要三四十元,这种产品价格高昂,但是质量较好,不适合大面积使用。差的塑基板led灯只需十来元,由于使用塑料基座无

  http://blog.alighting.cn/lightbosh/archive/2014/11/24/361696.html2014/11/24 11:41:30

具有三角形inGaN/GaN 多量子阱的高内量子效率的蓝光led

研究结果表明,对于传统结构的led 而言,2 个量子阱的结构相对于5 个和7 个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的led,研究结果显示,三角形多量子阱结构

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:27:18

si衬底GaN基蓝光led老化性能

为避免因封装不良带来的可靠性问题而影响对老化机理的判断,本样品不灌胶,目的是仅仅研究芯片本身的可靠性。

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:15:20

首页 上一页 37 38 39 40 41 42 43 44 下一页