站内搜索
在合适的衬底基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的l
https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51
域有限差分方法进一步讨论了无序光子晶体对石墨点阵柱状中心柱光子晶体GaN发光二极管模型光输出效率的影响·计算结果表明,无序对这种光子晶体发光二极管模型光输出效率的影响较小,且这种影
https://www.alighting.cn/2013/2/1 13:16:45
寸的蓝宝石晶
https://www.alighting.cn/news/20130201/112496.htm2013/2/1 10:34:03
GaN是优越的iii-v族直接带隙半导体材料，是iii-v族家族中最引人注目的半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广泛的研究。GaNg基光电子器件的制备和工
https://www.alighting.cn/2013/2/1 10:26:05
”上，田村制作所及其子公司光波公司展出了其开发的使用氧化镓β-ga2o3的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同点在
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309146.html2013/1/31 11:07:30
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309147.html2013/1/31 11:07:30
求，须从系统的角度去考虑，如led光源、电源转换、驱动控制、散热和光学等。薄膜芯片技术崭露锋芒目前，led芯片技术的发展关键在于基底材料和晶圆生长技术。基底材料除了传统的蓝宝石材料、
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56
研究了热退火对inGaN/GaN多量子阱led的ni/au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
通俗来讲，led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基板上生长结晶而成。采用的基板根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色 led等GaN类半导体材
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
