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led照明灯mocvd外延生长技术

一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯mocvd外延生长技术》的讲义资料,分享了衬底材料的选择,以及外延技术的发展趋势等内容,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01

哈市大力支持哈工大奥瑞德光电进行led基础材料研发

据悉,哈尔滨市积极投资建设led材料及深加工产业基地,对哈工大奥瑞德光电开展led基础材料研发生产项目给予大力支持。

  https://www.alighting.cn/news/20071122/107738.htm2007/11/22 0:00:00

si衬底GaN材料及器件的研究

型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与inn,aln形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金(alGaN、inGaN、alinga

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00

赵海天:会发光的建筑材料—led(ppt)

接对话与和谐。其中现任深圳大学建筑与城市规划学院教授,建筑物理实验室主任,《照明视界》编委,《节能与节能材料》编委赵海天以《会发光的建筑材料—led》为题发表了精彩的演

  https://www.alighting.cn/resource/201021/V1070.htm2010/2/1 9:30:13

si衬底GaN材料及器件的研究

-353x(2006)02-0098-041 引言 GaN作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与inn,aln形成组分连

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00

非晶玻璃衬底GaN leds 问世

近日,三星尖端技术研究所和首尔大学宣布开发出了第一个由非晶玻璃衬底制造的发光二极管。

  https://www.alighting.cn/news/20111212/99724.htm2011/12/12 15:30:51

GaN基功率led电应力老化早期的退化特性

对inGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900ma电流下的电应力老化,发现蓝光led老化到24小时隧穿电流最小,绿光led到6小时隧穿电流最小。

  https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34

三菱化学有望2013年度量产白色led用GaN基板

报道指出,三菱化学目前已着手于水岛事业所内导入大型长晶设备,并在确保拥有月产1,000万片(以2寸基板换算)的产能之后,将追加导入大型长晶设备正式进行量产,之后并计划于2015年度

  https://www.alighting.cn/news/20111121/114216.htm2011/11/21 9:08:51

功率型led封装键合材料的有限元热分析

建立了功率型led结构,分析了其热阻模型,对采用高导热导电银胶、纳米银焊膏、大功率芯片键合胶、sn70pb30四种键合材料的led 进行了ansys有限元软件仿真对比研究。结果表

  https://www.alighting.cn/resource/20150305/123532.htm2015/3/5 9:42:57

新型蒽衍生物蓝光材料的合成及光电性能研究

通过引入具有电子传输性能的噁二唑衍生物支链,采用suzuki偶联反应,设计并合成了一种新型的蒽衍生物蓝光材料,同时研究了它的光学性能、热学性能、电化学性能以及成膜性。

  https://www.alighting.cn/2015/2/28 9:58:15

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