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浅谈inn材料的电学特性

inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值,inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7ev左右,而不是先前普遍接受的1.9ev,所以通过调节合金组分可以获得从0

  https://www.alighting.cn/resource/20110612/127509.htm2011/6/12 22:37:13

inn材料及器件最新研究进展

inn是性能优良的半导体材料。最近研究表明:inn的禁带宽度也许是0.7ev左右,而不是先前普遍接受的1.9ev,所以通过调节合金组分可以获得从0.6ev(inn)到6.2e

  https://www.alighting.cn/news/20091126/V21879.htm2009/11/26 16:03:13

晶电订单回温,q3成长动能增强

据悉,晶电(2448)自结q2税前净利3.62亿元,比q1成长136.8 %,每股税前盈余0.57元,累计上半年每股税前盈余0.81元。因晶电7月下旬接获中高阶手机侧光源急单,7

  https://www.alighting.cn/news/20080804/95950.htm2008/8/4 0:00:00

台厂詮兴开发发表si封装led产品获美国专利权

台厂詮兴开发(solidlite corp)日前发表了新的高功率白光led产品,尺寸面积为3.0mm x 2.5mm x 0.5mm,在输入1瓦的功率下,可产生70流明的发光效

  https://www.alighting.cn/news/20070703/105550.htm2007/7/3 0:00:00

led上游芯片厂cree财报、财测均优

发光二极管(led)上游芯片制造大厂cree inc.20日盘后公布2009会计年度第2季(2008年10-12月)财报:本业每股盈余达0.20美元,远优于thomso

  https://www.alighting.cn/news/20090121/117952.htm2009/1/21 0:00:00

lumex推出手机smd rgb led背光源

1月31日,美国伊利诺斯州lumex发布了一款全色直角,采用表面贴装技术(smt)的led ml-lxr851siupgubc,这款高亮、全色led尺寸仅为3.2mm x 1.0

  https://www.alighting.cn/news/20080202/119090.htm2008/2/2 0:00:00

常用的进口led测试仪器对比(三)光谱仪对比篇

4 (vis); ≈ 0.6 nm (uv); ≈ 0.7 (ir)2.7 nm 3.7 nm 3.7 nm 2.2 nm 3.0 nm对应上面的光谱范围1.5nm fwhm可能与定

  http://blog.alighting.cn/light2all/archive/2012/7/7/281157.html2012/7/7 7:42:24

常用的进口led测试仪器对比(三)光谱仪对比篇

4 (vis); ≈ 0.6 nm (uv); ≈ 0.7 (ir)2.7 nm 3.7 nm 3.7 nm 2.2 nm 3.0 nm对应上面的光谱范围1.5nm fwhm可能与定

  http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282657.html2012/7/19 11:38:27

2014年广州国际照明展受行业热捧 逾2,237家企业参展

、总面积达22.5万平方米,为业界展示及推广最创新的照明产品及led技

  https://www.alighting.cn/news/2014430/n200861949.htm2014/4/30 13:48:41

2014年广州国际照明展受行业热捧 逾2,237家企业参展

、总面积达22.5万平方米,为业界展示及推广最创新的照明产品及led技

  https://www.alighting.cn/news/2014429/n194761921.htm2014/4/29 14:14:59

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