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led发光效率发展动向led背光模块能够迅速扩展应用范围另一项要因，是led背光模块单位耗电量能获得很高的辉度，亦即单位瓦特的发光流明数lm/w 。如图2所示led背光模块的光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120563.html2010/12/13 23:08:00
p(truncatedinvertedpyramid)晶粒结构的红光led发光效率达到100lm/w，绿光led也可达到50lm/w，单个功率led的光通量达到了几十流明（白炽灯、卤钨灯光效为12-2
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120558.html2010/12/13 23:06:00
场前景也非常可观。led用荧光粉尚待创新 近年来，在照明领域最引人关注的事件是半导体照明的兴起。20世纪90年代中期，日本日亚化学公司的nakamura等人经过不懈努力，突破了制
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120554.html2010/12/13 23:05:00
上厂家生产的外延片和芯片的技术性能大多为中低档，一直停留在上一世纪90年代初期（1994年）的带有布拉格反射器的gaas衬底结构，如图1所示,这种结构的发光效率一般仅为10lm/
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
ｄ进程更是产业界研发的主流方向。 ３、产品封装结构类型 自上世纪90年代以来，ｌｅｄ芯片及材料制作技术的研发取得多项突破，透明衬底梯形结构、纹理表面结构、芯片倒装结构，商品
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
朗光学半导体公司2008年调查统计，全球每年家庭照明灯座出货量约为500亿个。 led光源的技术日趋成熟，每瓦发光流明迅速增长，促使其逐年递减降价。以1wled光源为例，2008
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120530.html2010/12/13 22:58:00
产，形成年产30亿粒小芯片的产能。计划于2010年扩产到100亿粒。 2009年5月，公司研发的1瓦硅衬底大功率led芯片达到90lm，进入普通照明领域。 据了解，晶能光电投
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
众所周知，hid亮度会比普通卤素灯亮2至3倍，达到3200流明。而一般卤素灯色温通常在3200k-3800k之间，hid氙气灯色温范围较大，通常在3000k-12000k之间甚
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120519.html2010/12/13 22:51:00
辉（＜0.1μsec）特性和亮度特性。后来，在70年代被应用在高压汞灯中，主要用来提高高压汞灯的显色性。进入90年代后，该荧光粉成为蓝光led晶片首选的荧光材料，由于在led器件中
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120516.html2010/12/13 22:50:00
色光混合而产生白光。 3、白光led照明新光源的应用前景。 为了说明白光led的特点，先看看目前所用的照明灯光源的状况。白炽灯和卤钨灯，其光效为12～24流明/瓦；荧光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120507.html2010/12/13 22:42:00
