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b板的led总体热阻分别为8.95、10.66和22.48℃/w;采用sn20au80和银胶芯片粘接的led，芯片到cu热沉的热阻分别为3.75和4.80℃/w.因此对于大功率le
https://www.alighting.cn/2011/12/5 17:48:09
织的修复作用。34只大鼠随机分成3组:正常对照组10只、病理模型组12只与病理模型+led照射治疗组12只.研究中采用乙酸局部刺激复制大鼠uc模型,其中led治疗组应用led结肠内照
https://www.alighting.cn/2011/10/19 14:04:47
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
对应用在led显示控制系统中的sdram控制器进行了设计,实现了256×64像素点的实时显示控制,采用xilinx公司的现场可编程逻辑器件(fpga)xc3s250e作为系统的硬
https://www.alighting.cn/resource/20110927/127072.htm2011/9/27 13:45:05
数,2.利用高分辨x射线衍射对gan基led外延片的超晶格结构进行了测量, 3.利用高分辨透射电子显微镜对gan基led外延片进行了分析 4.利用f7000荧光光谱仪对样品进行了光
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
对这种发光器件性能的影响。在普通有机电致发光器件空穴传输层和发光层之间直接蒸镀一层纳米zno薄膜,当纳米zno薄膜的厚度为1nm时,器件的电流效率可达3.26cd/a,是没有纳米zn
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15
件光学特性的影响。初步的研究结果表明:热处理后的直径为3μmps微球层可将限制在玻璃衬底中的部分光耦合到前向外部空间,并将oleds器件正方向的发光亮度(效率)提高大约9
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
为106k,jc(77k,0t)为3.5ma/cm2,微波表面电阻rs(77k,10ghz)为390μ
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
d灯具的安全性。 3、电源输入电压范围：（电压：170--250v）变化时，均能稳定地工作。使led灯发光效果好，寿命更长等优点。 4、本led防水型开关电源有多种规格设计，适合各
http://blog.alighting.cn/lmn2009/archive/2010/4/2/39313.html2010/4/2 12:23:00
