【每日标讯】3月30日照明相关招标、中标项目汇总

  https://www.alighting.cn/news/20260331/178694.htm2026/3/31 10:20:52

【每日标讯】3月31日照明相关招标、中标项目汇总

  https://www.alighting.cn/news/20260331/178697.htm2026/3/31 17:44:20

【每日标讯】4月3日照明相关招标、中标项目汇总

  https://www.alighting.cn/news/20260403/178732.htm2026/4/3 18:05:43

leD芯片寿命试验

件的特点，经过对比试验和统计分析，最终规定了0.3×～0.3mm2以下芯片的寿命试验条件：● 样品随机抽取，数量为8～10粒芯片，制成ф5单灯；● 工作电流为30ma；● 环境条件

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232818.html2011/8/19 0:29:00

leD芯片寿命试验

件的特点，经过对比试验和统计分析，最终规定了0.3×～0.3mm2以下芯片的寿命试验条件：● 样品随机抽取，数量为8～10粒芯片，制成ф5单灯；● 工作电流为30ma；● 环境条件

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258569.html2011/12/19 11:00:50

leD芯片寿命试验

件的特点，经过对比试验和统计分析，最终规定了0.3×～0.3mm2以下芯片的寿命试验条件：● 样品随机抽取，数量为8～10粒芯片，制成ф5单灯；● 工作电流为30ma；● 环境条件

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261498.html2012/1/8 21:46:08

leD芯片寿命试验

件的特点，经过对比试验和统计分析，最终规定了0.3×～0.3mm2以下芯片的寿命试验条件：● 样品随机抽取，数量为8～10粒芯片，制成ф5单灯；● 工作电流为30ma；● 环境条件

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262671.html2012/1/29 0:37:03

leD芯片寿命试验

件的特点，经过对比试验和统计分析，最终规定了0.3×～0.3mm2以下芯片的寿命试验条件：● 样品随机抽取，数量为8～10粒芯片，制成ф5单灯；● 工作电流为30ma；● 环境条件

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271773.html2012/4/10 23:32:48

leD芯片寿命试验

件的特点，经过对比试验和统计分析，最终规定了0.3×～0.3mm2以下芯片的寿命试验条件：● 样品随机抽取，数量为8～10粒芯片，制成ф5单灯；● 工作电流为30ma；● 环境条件

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274748.html2012/5/16 21:29:36

基于hv9931的单位功率因数leD驱动器设计

止，中断输出leD电流。 单级单开关非隔离无变压器buckboost-buck电源拓扑由两部分组成：l1、cl、Dl和D4组成输入buckboost级，它与l2、D2、D3和c0组

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134166.html2011/2/20 23:15:00