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用多种防腐及耐高低温材质（如哈氏合金，钛等）● 整机全密封无死角，无任何泄漏点，可耐42mPa高压● 压力损失小，仅为标准孔板的1/2△P左右● 传感器不与被测介质接触,不存在零部
http://blog.alighting.cn/shangtai815/archive/2009/11/19/19626.html2009/11/19 9:46:00
污，安装简便免维护● 可选用多种防腐及耐高低温材质（如哈氏合金，钛等）● 整机全密封无死角，无任何泄漏点，可耐42mPa高压● 压力损失小，仅为标准孔板的1/2△P左右● 传感器不
http://blog.alighting.cn/shangtai815/archive/2009/11/19/19627.html2009/11/19 9:47:00
等）● 整机全密封无死角，无任何泄漏点，可耐42mPa高压● 压力损失小，仅为标准孔板的1/2△P左右● 传感器不与被测介质接触,不存在零部件磨损,使用安全可靠 ● 适用介质范围广：
http://blog.alighting.cn/shangtai815/archive/2009/11/19/19628.html2009/11/19 9:48:00
d外延生长技术和多量子阱结构的发展，人们在精确控制外延、掺杂浓度和减少位错等方面都取得了突破，处延片的内量子效率已有很大提高。像波长为625nm的a1ingaP基led，内量子效率
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115032.html2010/11/18 16:39:00
荧光粉早在20世纪60年代就已被研制出来,并且被应用于阴极射线飞点扫描管中(阴极射线荧光粉的牌号为P46),它主要是利用该荧光粉的超短余辉(0.1μsec)特性和亮度特性。后
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229954.html2011/7/17 23:33:00
系,可以有不同的偏振方向,并且每个粒子所发射的光沿所有可能的方向传播,这个过程称为自发发射.其发射波长可用下式来表示:λ(μm)=1.2396/eg(ev) 发光二极管(led)一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230125.html2011/7/18 23:58:00
出了由我司独立自主研发的全球领先的led倒装、正装芯片、高性能模组、可以媲美高清电视的P1.5 led显示屏，以及光效大幅度领先的光源灯具。 公司此次发布了代号为“北极光”的1ale
http://blog.alighting.cn/etiled/archive/2013/7/16/321106.html2013/7/16 14:56:38
统led的输出功率一般都限定在50毫瓦以内，而高亮度led可达1-5瓦。 图1显示了hi-led内部电压与电流的典型关系。在正向电压 (vf)超出内部门槛电压前，hi-led上几
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
备都由源供给系统、气体输运和流量控制系统、反应室及温度控制系统、尾气处理和安全防护及毒气报警系统构成。与常规的氯化物输运外延(vPe)相比,mocvd具有下列一系列优点：(1)、适
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
n结构成的。高亮度led与标准led的差别在于它们的输出功率。传统led的输出功率一般都限定在50毫瓦以内，而高亮度led可达1-5瓦。图1显示了hi-led内部电压与电流的典型关
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230337.html2011/7/20 0:14:00
