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led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μM2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nM)22 Mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nM) 18.8 Mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

多种串行接口技术在led大屏幕显示系统中的应用

e(void){int i;poMl=0x00;poM2=0x41;p1M1=0x00;p1M2=0x80;elk=0;for(=1;i=8;i++){clk=

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271794.html2012/4/10 23:36:32

2048像素led平板显示器件的封装

国在光电显示器件的研制与生产方面与国外相比有较大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度le

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271793.html2012/4/10 23:36:29

光纤led驱动电路的设计

如,以太网和fddi标准指定采用多模62.5/125μM石英玻璃光纤。这些细纤芯的光纤需要高精度连接器以减少耦合损耗,对于工业应用,需要低成本的光缆和连接器。因此,1MM的po

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271792.html2012/4/10 23:33:55

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/MM2。

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271789.html2012/4/10 23:33:46

多种串行接口技术在led大屏幕显示系统中的应用

e(void){int i;poMl=0x00;poM2=0x41;p1M1=0x00;p1M2=0x80;elk=0;for(=1;i=8;i++){clk=

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271788.html2012/4/10 23:33:43

led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μM2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nM)22 Mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nM) 18.8 Mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/MM2。表

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271779.html2012/4/10 23:33:07

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/MM2。表

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271778.html2012/4/10 23:33:04

光纤led驱动电路的设计

如,以太网和fddi标准指定采用多模62.5/125μM石英玻璃光纤。这些细纤芯的光纤需要高精度连接器以减少耦合损耗,对于工业应用,需要低成本的光缆和连接器。因此,1MM的po

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