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2 ,电流可达600ma。目前主要提供0.25×0.25mm2 及1×1 mm2 规格产品,其功耗为1.5w。主要用于机场照明系统、室内外照明、汽车指示灯及建筑物显示器等。多芯片组合封
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
有着比较大的优势。mva技术mva液晶面板的液晶层中包含一种凸出物供液晶分子附着,在不施加电压的状态下,mva面板的液晶分子垂直于屏幕,施加电压后,液晶分子就会依附在凸出物上偏转,形
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229956.html2011/7/17 23:34:00
求,因此有必要对该荧光粉进行更进一步的研制。一、研制过程将y2o3、ceo2、al2o3或其取代物gd2o3或lu2o3、助熔剂等原料混合均匀,放入刚玉坩埚中,在一定的还原气氛下,
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229954.html2011/7/17 23:33:00
稳定、光衰大。因此,高效低光衰的led用红色荧光粉的研制正在成为国内外大公司和研究机构研发的热点。一、硫化物系列红色荧光粉该系列荧光粉以二价铕作为激活剂,在紫外、紫光和蓝光的激发下
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
膜,这就很难避免晶格匹配这个大问题。一般都是在蓝宝石衬底上先生长氮化物的缓冲层,然后再异质外延inn薄膜,研究显示,gan缓冲层上生长的inn薄膜比较理想。mbe技术生长可以精确控
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入iii、ii族金属元素的烷基化合物(甲基或乙基化物)蒸气与非金属(v或vi族元素)的氢化物(或烷基物)气体,在高温下,发生热解反应,生成iii-v或ii-vi族化合物沉积在衬
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积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)技术生长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下面是关于led外延片技术的一些资料。1.改进两步法生长工艺目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6片
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能保持较高发光效率是led白光照明中的一个重要的课题。3)灯具系统的二次光学设计传统灯具长期以白炽灯、荧光灯光源为参照物来决定灯具的光学和形状的标准,因此led灯具系统应考虑摒弃传
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流焊机加热硬化。它与所谓的焊膏是不相同的,一经加热硬化后,再加热也不会溶化,也就是说,贴片胶的热硬化过程是不可逆的。 smt贴片胶的使用效果会因热固化条件、被连接物、所使用的设备、操
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