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基于si衬底的功率型gan基led制造技术

种结构芯片电流垂直分布,衬底导率高,可靠高;发光层背面为金属反射镜,表面有粗化结构,取光效率高。   1.3关键技术及创新   用si作gan发光二极管衬底,虽然使le

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

led芯片寿命 试验方法

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  http://blog.alighting.cn/tyqtyq/archive/2009/5/16/3426.html2009/5/16 18:50:00

led芯片寿命试验

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  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/12/1/9362.html2008/12/1 11:11:00

led芯片寿命试验

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  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232818.html2011/8/19 0:29:00

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