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基于hv9931的单位功率因数leD驱动器设计

止,中断输出leD电流。 单级单开关非隔离无变压器buckboost-buck电源拓扑由两部分组成:l1、cl、Dl和D4组成输入buckboost级,它与l2、D2、D3和c0组

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134166.html2011/2/20 23:15:00

白光型发光二极管之背光设计

过今日手持装置的应用愈来愈多,其它环节的用电也在成长(如手机照相闪光灯、手机数字电视、手机3D电玩、手机mp3随身听等),背光部份的成长有时反成为次要问题。当然!wleD还有其它优

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134167.html2011/2/20 23:15:00

用于平板显示器的rgb leD

耗。rgb leD则不这样。这就更复杂了,因为每种颜色的损耗率都不同,见图4。使用1年以后,红光和绿光leD一般会变暗10%,而蓝光leD则损耗70%。因此,当用恒定电流驱动时,rg

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134162.html2011/2/20 23:13:00

oleD显示模块与at91rm9200的接口设计

D1303;对比度为500:1;视角为160°;接口为6800系列并行接口,8位intel 8080系列并行接口以及串行外部接口;工作温度为-20~+70℃。 2 显示模块的控制

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134159.html2011/2/20 23:11:00

高效eu2+掺杂的氮化物和氮氧化物光转换荧光体白光leD

右)是一个强宽谱带,它的发射峰与 eu2+ 浓度相关,在 583~603nm 范围。这类激发和发射光谱是 eu2+ 的 4f~7 4f b 5D 跃迁。荧光体的发光强度随 eu2

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134154.html2011/2/20 23:08:00

设计非隔离型反激leD驱动器

入电压下最佳占空比的近似值: 其中rb为整流器电阻,与应用电路中的r11相同,在本应用中设定为1。vD为整流二极管D1的正向压降。 将已知数值代入上式得

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134150.html2011/2/20 23:07:00

白色leD的恒流驱动

路电流源, (D) 一路电流源驱动串联leD。 图5.各个白色leD的正向电压(vf)对调节电流精度的影响不同,取决于调节电路的结构:(a)电压源与镇流电阻,(b)电

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134145.html2011/2/20 23:06:00

基于单片机的oleD显示器的应用

:62780866" org 0000h ajmp main com equ 20h ;指令寄存器 Dat equ 21h ;数据寄存器 page equ 31h ;页地址寄存器D

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134141.html2011/2/20 23:04:00

低端8位mcu使高亮度汽车leD控制成为可能

正端(vDD)相连,流经电感器的电流开始呈线性迅速上升。当pwm信号达到高电平时,功率开关q1就会断开,此时,电流流经二极管D,来维持电流回路。 电容器co会过滤经调节的输

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00

gan基发光二极管的可靠性研究进展

]或70ma恒定电流[11],远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gan基leD,p型电极和n型电极只能在外延表面的同一侧,这种特殊的器件结构使得靠近n型电极处电流密度很

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