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美国能源之星紧凑型荧光灯标准规范的研究

美国能源之星紧凑型荧光灯标准规范的研究:本文研究了现行美国能源之星紧凑型荧光灯适用规范cfls-4.0版本与已替代的cfls-3.0版本的在光度性能测试、电气性能测试要求上差异

  https://www.alighting.cn/resource/2011/3/1/16409_09.htm2011/3/1 16:40:09

ul1993自镇流灯和灯适配器标准

适用于日光自带镇流器灯及额定电压120v的日光灯适配器(配用白炽光照明装置及手提式电灯的灯座). 产品专为符合国际电气代号ansi/nfpa 70要求而设计.具有新的或有别于那

  https://www.alighting.cn/resource/2011/9/19/172112_68.htm2011/9/19 17:21:12

低压mocvd生长参量对ⅱ型inas gasb超晶格材料表面形貌的影响

采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb超晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段

  https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59

大功率led热阻测量研究

led 正向偏压关于电流阶跃的响应曲线包含了大量led 系统热阻热容的结构信息. 通过对led 施加电流阶跃后电压响应曲线的测量和简单拟合, 试图提取led 封装结构中的热阻、热

  https://www.alighting.cn/2012/3/12 13:13:30

sr3sio5:eu2+材料光谱特性研究

采用高温固相反应方法制备了用于白光发光二极管的sr3sio5:eu2+发光材料. 测量了eu2+掺杂浓度为0.01 mol时样品的激发与发射光谱, 其均为多峰宽带, 发射光谱主峰

  https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:16:05

lp-mocvd生长ingan及ingan/gan量子阱的研究

关,生长温度由800℃降低到740℃,in组份的从0.22增加到 0.45 ;室温ingan光致发光光谱(pl)峰全半高宽(fwh m)为15.5 nm;ingan/gan量子阱

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

gan及algan薄膜透射光谱的研究

利用透射光谱矩阵光学原理,对三种gan或algan外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06

利用led的投影系统光源设计

设计了利用多颗led(light emitting diode,发光二极管)阵列组成的扩展面光源.经过合理的聚光设计使之符合某些投影设备对亮度要求不是很高,但结构紧凑、性能稳定

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127163.htm2011/9/13 8:58:08

双波长ingan/gan多量子阱发光二极管的光电特性

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39

sapmac法蓝宝石单晶的生长、检测与超声震动加工

分析sapmac法生长大尺寸蓝宝石晶体的工艺技术,并对制备的晶体质量进行了检测与分析.研究结果表明:采用sapmac法生长的蓝宝石晶体结构完整,fhwm值很小,只有11arcse

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127224.htm2011/8/31 15:25:52

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