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科学家成功制造255nm紫外发光二极管

美国科学家成功制造出波长255nm、功率0.57w以及波长250nm、功率0.16w的紫外发光二极管(led)。该组件目前尚未封装,该研究小组希望藉由覆晶接合(flip-chip

  https://www.alighting.cn/resource/20041101/128434.htm2004/11/1 0:00:00

人民日报:国家半导体照明工程获重大突破

具有国际先进水平的半导体发光芯片18日在大连路芯片科技有限公司正式投入生产。国家科技部有关人士认为,这标志着中国国家半导体照明工程取得重大突破。

  https://www.alighting.cn/news/20040319/92014.htm2004/3/19 0:00:00

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