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高亮度高纯度白光led封装技术研究

0nm的niau层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀p型层,露出多量阱n型有源区;第三步,沉积、刻蚀形成n型欧姆接触区。芯片尺寸为1mmxlmm,p型欧姆接触区为正方

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00

基于avr单片机的led显示屏的灰度设计与实现

成:pc上位机图像文字转换与数据发送单元、主控单元以及显示模块。 上位机完成把图像和文字转换成为显示屏的显示码,并且把显示信息发送到主控单元上。主控单元选用具有32 kb片

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134156.html2011/2/20 23:10:00

利用表面粗化技术提高发光二极管的出光效率

℃ 生长的 1.5μm 厚的 n-gan 层,一个包含 5 个循环的的 in 0.21 ga 0.79 n 2nm /gan 5nm 多量井层,一个 0.3μm 厚的 p-gan

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00

超高亮led的驱动

以减少汽追尾事故的发生。 近年来高亮led已经在汽的近光灯中得到了应用,例如德国奥迪公司的奥迪a86.o,意大利fioravanti公司在2003年日内瓦展上推出的概念

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134131.html2011/2/20 23:00:00

高亮度led之「封装光通」原理技术探析

顺向导通电流(vf×if,f=forward)求得。■裸晶层:「量井、多量井」提升「光转效率」 虽然本文主要在谈论led封装对光通量的强化,但在此也不得不先说明更深层核心的裸晶部

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00

技术洞察-突破ingan缺陷障碍 积极应用不均匀的结晶结构

授等人,和独立行政法人科学技术振兴机构的研究小组,同心协力进行了这一方面的研究,他们利用脉冲雷射,在千亿分之一秒的超短时间内,利用电反物质「阳电」对结晶里的电洞的变化,进行发光测

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00

si衬底gan基材料及器件的研究

续可变的三元或四元固溶体合金(algan、ingan、alingan),对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围,而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性,因此在光电领域具有极

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00

如何应对新型大功率led的设计挑战

流的唯一方法是改变电阻器r1和r2的比值。 另一个例使用了一个可编程开关式控制器(psmc)外设作为pwm开关控制。这个外设类似于一个独立的开关式电源驱动器,其不同之处是:它是由相

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134116.html2011/2/20 22:53:00

白光led的奈米结构控制技术(组图)--国内技术

点,是gan氮化物半导体的纵光学(lo:longitudinal optical;以下简称为lo)与音(phonon;格波的量)的能量(? ω =h/2π,h为膜厚plank常

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00

面向汽应用的led驱动技术浅谈

年半)比汽的使用寿命还要长。这使得汽制造商能够把它们永久性地嵌入舱内的照明系统中,而无需像以往那样留有用于更换灯丝灯泡的入口。由于led照明系统不需要白炽灯泡所要求的安装深度

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134094.html2011/2/20 22:17:00

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