站内搜索
来自中国光协光电（led）器件分会的张万生对我国超高亮度led外延芯片国产化的进程进行了回顾与展望，不错的资料，现在分享给大家，欢迎大家下载附件查看详情。
https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:23:09
导读：大功率led器件的生产，需要制备合适的大功率led芯片，本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。
https://www.alighting.cn/resource/2012/5/20/214917_67.htm2012/5/20 21:49:17
、全角反射镜(odr)、外延片键合、激光剥离技术(llo)、倒装技术(flip chip)、光子晶体技术(phonic crystal)、ac led技术等，最后谈论了led芯片技
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22
为了获得大功率led器件，有必要准备一个合适的大功率led面板灯芯片。国际社会通常是大功率led芯片的制造方法归纳如下：
https://www.alighting.cn/resource/20140804/124385.htm2014/8/4 10:16:22
文章简述了提高外量子效率的集中有效途径，如便面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射出结构、激光剥离技术，纳米压印与su8胶相结合技术、光
https://www.alighting.cn/2014/12/22 13:37:39
测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump，焊接后的gan 基绿光led 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将热超声倒装焊接技术用于制
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51
与正装led相比,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13
文章分析了mb芯片、gb芯片、ts芯片以及as芯片这四种led芯片各自的特点。
https://www.alighting.cn/2013/9/11 14:30:53
色照明光源普遍推广应用的一个绊脚石。文章简述了提高外量子效率的几种有效途径,如表面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射层(dbr)结构、激
https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22
通过对高功率ingan(蓝)led倒装芯片结构+yag荧光粉构成白光led的分析,可以得出这种结构能提高发光效率和散热效果的结论。通过对白光led的构成和电流/温度/光通量的分
https://www.alighting.cn/2013/4/10 13:07:29
