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对“用于gan的生产型MOCVD”设备控制系统的软/硬件结构、关键技术进行了描述,介绍了国外几种生产型ganMOCVD设备控制系统的特点;分析了MOCVD设备控制技术的发展趋势。
https://www.alighting.cn/resource/20130814/125402.htm2013/8/14 11:46:44
一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯MOCVD外延生长技术》的讲义资料，分享了衬底材料的选择，以及外延技术的发展趋势等内容，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01
本文主要介绍led芯片及器件的分选测试，led的分选有两种方法：一是以芯片为基础的测试分选，二是对封装好的led进行测试分选。
https://www.alighting.cn/2013/7/18 16:24:50
利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长gan时,gan低温缓冲层的生长压力对高温生长gan外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫
https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58
研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
制备了人工opal晶体模板,运用MOCVD方法在sio2人工opal球体间填充了高折射率的inp晶体,选择了MOCVD生长inp的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
率有98%;2)高反射率白色涂料(塑粉)91%(国产水平差不多).2.增大反射式灯具的出光口面---减少光源的档光，因用料增加和费，用增大,并不是常用方法
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/3/15827_81.htm2013/5/3 15:08:27
作为第三代宽禁带半导体材料,sic和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。sic具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方面有
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
