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led衬底、外延及芯片的技术发展趋势

别在led衬底、外延、芯片的核心技术研究方面,已取得突破性成果。对led发展提出了不同的技术路线和“终极目标”的技术方案,以及提出新的发光材料。为此,本文除简要描述半导体照明上游产

  https://www.alighting.cn/2013/8/13 9:58:57

科普:不可不看的外延芯片基础知识

外延也称为外延生长,是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程,就是在单晶(或化合物)衬底材料上淀积一层薄的单晶(或化合物)层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。

  https://www.alighting.cn/2014/5/19 10:52:36

led外延片介绍以及辨别外延片质量方法

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生

  https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30

日本led灯商用植物生长技术密集研发

日本媒体指出,为促进商用植物生长,业者扩大采用led灯,室内植物生长设备亦为之进化。

  https://www.alighting.cn/news/20150303/83058.htm2015/3/3 9:56:12

蓝宝石衬底分子束外延生长gan薄膜的原位椭偏光谱分析

通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45

【alls视频】王成新:大功率gan led技术

2011年6月11日,“亚洲led照明高峰论坛 -- 外延芯片技术与工艺和外延设备和材料”专题分会在广州琶洲展馆b区8号会议厅南厅举行。来自山东大学晶体材料研究所特聘专家王成新博

  https://www.alighting.cn/news/20110808/108974.htm2011/8/8 19:57:21

华灿王江波:大电流应用下的led外延与芯片关键技术

在“2013新世纪led高峰论坛”技术峰会iii“外延芯片技术及设备材料最新趋势”专题分会上,华灿光电研发经理总裁助理王江波先生就“大电流应用下的led外延与芯片关键技术研究”发

  https://www.alighting.cn/news/20130610/88423.htm2013/6/10 14:21:06

闫发旺:图形蓝宝石衬底及其mocvd外延生长

1月24日,由中国半导体照明工程研发及产业联盟主办,由中科院半导体照明研发中心承办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”在中国科学院半导体研究所学术会议中心胜利召开。

  https://www.alighting.cn/news/20080125/102840.htm2008/1/25 0:00:00

生长led有机层的外延片工艺

ledinside发表知识库文章《生长led有机层的外延片工艺》

  https://www.alighting.cn/news/20080204/107389.htm2008/2/4 0:00:00

mbe低温生长gaas在器件应用上的回顾与新进展

在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09

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