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术，如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。介绍了通过各种加工技术对led芯片微纳光学结构的加工提高了芯片的外量子效率，从
https://www.alighting.cn/resource/20140627/124485.htm2014/6/27 10:43:46
制及其它电子器件结构生长的一个关健问题。近年来, 随着工艺的发展, gan晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在si衬底上制造出led。介绍了gan薄膜开裂问题及近期硅衬
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
在mocvd 反应器中外延异质结构的材料时，用来生长晶体的各组份和掺杂剂，都是以气态方式进入反应器的;该系统通过周期性地切换各种反应气体控制其流入量，在衬底上外延出特定组份、特
https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:29:55
采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
米柱的形貌、晶体结构和光学特性进行了观察。sem图像观察到zno纳米柱状结构具有一定的取向性;xrd测试在2θ=34.10°处观测到强的zno(002)衍射峰,证实zno纳米柱具
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管阈值电压漂移,造成oled的发光亮度下降,影响其使用寿命。而多管的像素电路设计可以补偿或消除阈值电压的漂移。本文分析了电流控制电流镜像像素电
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127159.htm2011/9/13 14:02:15
本篇论文讨论了gt公司的oht蓝宝石材料等级检测技术，并重点介绍了gt公司如何运用oht技术，确保了其asft?长晶炉生产的蓝宝石材料满足或超越led级别的材料质量要求。
https://www.alighting.cn/2013/9/6 15:34:38
本文介绍了有关蓝宝石材料质量对 hb-led 设备制造过程的影响研究的最终结果。本研究是大型综合材料表征项目的一部分，由 gt 发起以研究蓝宝石材料属性对高亮 led 价值链中整个
https://www.alighting.cn/resource/20140402/124706.htm2014/4/2 10:28:35
在led电源领域，恒流驱动一直是工程师的话题，众多的电子设备所用的供给电流基本都要求电流恒定。而能够向负载提供恒定电流的电源称之为恒流源。本文中详述了恒流电源电路的设计，6大提示教
https://www.alighting.cn/2015/3/20 11:16:48
