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日前，一期投资1亿美元的发光二极管项目落户沈阳浑南新区。
https://www.alighting.cn/news/20060914/102955.htm2006/9/14 0:00:00
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展，本文主要介绍了提高gan基led外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
普通照明用发光二极管性能要求(qbt 4057-2010)：本标准规定了普通照明用的发光二极管(简称led)的分类、技术要求、试验方法、检定规则和标志、包装、运输、贮存。本标准
https://www.alighting.cn/resource/2011/3/2/16351_96.htm2011/3/2 16:03:51
制作了一个基于碳纳米管场发射的发光二极管 ,实验结果表明 ,这种发光二极管驱动场强低 ,亮度高 ,能够满足常用显示器和发光管的亮度要求 ,同时也用边界元法讨论了碳纳米管之间的场屏
https://www.alighting.cn/resource/20130201/126079.htm2013/2/1 9:56:01
本标准规定了普通照明用的发光二极管的分类、技术要求、试验方法、检定规则和标志、包装、运输、贮存。
https://www.alighting.cn/news/20110113/109768.htm2011/1/13 16:48:46
厦门华联发光二极管红外遥控接收放大器荣获第九届中国国际高新技术成果交易会拥有自主知识产权证书。
https://www.alighting.cn/news/20071116/101554.htm2007/11/16 0:00:00
《发光二极管(led)产品基础知识简介》，从发光二极管(led)简介、led主要制程及物料、公司主要产品结构介绍、led主要光电参数简述、led的优点这五个方面进行叙述，欢迎下
https://www.alighting.cn/resource/2010/12/8/103557_09.htm2010/12/8 10:35:57
研究了单层moo3(5nm)和复合au(4nm)/moo3(5nm)hils对oleds器件性能的影响,器件结构为ito/hil/npb(40nm)/alq3(60nm)/lif(
https://www.alighting.cn/2013/2/1 11:48:11
件光学特性的影响。初步的研究结果表明:热处理后的直径为3μmps微球层可将限制在玻璃衬底中的部分光耦合到前向外部空间,并将oleds器件正方向的发光亮度(效率)提高大约9
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29
可工作功率),单位光通量的成本和发光二极管可正常使用寿命.文章综述和分析了与芯片发光效率(或外量子效率)和单芯最大可发光通量(或最大可工作功率)相关的制造技术和相关物理问题。欢迎下
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1063.htm2010/1/18 14:18:53
