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低温cvd法在玻璃衬底上制备zno纳米线阵列

采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了zno纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表

  https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19

双波长ingan/gan多量子阱发光二极管的光电特性

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39

腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长gan质量的影响

使用熔融的koh在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了ga

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39

降低双折射的光学薄膜

日本zeon的子公司optes在“fpd international 2004”上展示了降低双折射的光学薄膜“新zeonor薄膜”。以往的“zeonor薄膜”也具有双折射低的特

  https://www.alighting.cn/resource/20041101/128435.htm2004/11/1 0:00:00

退火对用pld法制备zno薄膜的发光影响

用脉冲激光沉积(pld)方法在si(111)和蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对zno薄膜的结构和发光特性的影响

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53

采用薄膜芯片的微型元件问世 chipled和firefly将更亮

欧司朗光电半导体现正推出三款采用薄膜芯片(ingaalp 技术)的新一代微型元件:chipled 0402、备透镜 chipled 和 firefly。

  https://www.alighting.cn/news/20091112/V21679.htm2009/11/12 16:41:57

德计划资助我国金属有机化学气相沉积事业

及相关技术的发展

  https://www.alighting.cn/news/20040622/102581.htm2004/6/22 0:00:00

硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差

  https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06

zno薄膜微结构变化对光电特性的影响

利用pld方法沉积了si基zno薄膜,通过结构和电学特性的测量,研究了在o2气氛下退火温度对zno薄膜微结构的改善。研究得到:o2气氛下700℃退火,zno薄膜中出现施主深能级局

  https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:55:42

氧气压强对pld制备mgzno薄膜光学性质的影响

使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性

  https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11

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