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鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目前最新的工艺是用混合
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/106910.html2010/10/15 15:04:00
素化合的化合物。gap是一种间接迁移型半导体,具有低电流、高效率的发光特性,可发光范围函盖红色至黄绿色,为led主要使用材料之一。GaN氮化镓。氮化镓,是ⅲ-ⅴ族元素化合的化合
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00
是开发蓝光led时，碳化矽(sic)与氮化镓(GaN)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时，必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。 之前，全球许多大公司皆投
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114813.html2010/11/17 22:50:00
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261392.html2012/1/8 20:27:31
学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
led制作流程分为两大部分。1、在衬底上制作氮化镓（GaN）基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之
http://blog.alighting.cn/mule23/archive/2008/12/2/9371.html2008/12/2 14:14:00
0年。主流技术如外延接触层、外延覆盖层、外延量子阱技术、超晶格技术、氮化镓衬底技术、芯片微结构技术、钝化技术等相差10年左右。在下游产业中，普遍相差10年左右。另外，与外国相比，我
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00
管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化镓（inGaN）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317133.html2013/5/14 10:41:23
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/27/320061.html2013/6/27 16:27:01
