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出射;二是运用碳化硅衬底进步器材散热，三是运用氮化镓同质衬底制备极低缺点的高质量晶体，进步led的发光功率。 无极灯当前国内半导体照明资料的首要疑问有：一是中心专利技能缺少，国内大
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/13/323399.html2013/8/13 15:08:07
度降低缺陷密度。采用非极性衬底生长led，可作显示屏、电视、手机等背光源，没有取向性，不要外置扩散片。采用半极性、非极性蓝宝石和GaN衬底生长led的核心技术，已取得突破性进
http://blog.alighting.cn/188279/archive/2013/8/7/322937.html2013/8/7 9:30:39
于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的led开发成功。这种led是将 GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。GaN芯片发蓝光(λp=465nm，wd=3
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2013/8/5/322854.html2013/8/5 17:00:54
镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业运用价值的led灯资料之一。 无极灯 全球led照明疾速开展，将会股动镓和铟需要的疾速增长，也会股动越来越多的公司和自己重视铟和
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28
用的规模分别为80亿元、320亿元和1520亿元。其中，2012年国内企业芯片营收增长23%，达到80亿元;2011年国内GaN芯片产能利用率在50%左右，全年产量仅为1150亿颗，产
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/7/25/322056.html2013/7/25 11:28:45
技有限公司任职。 在大晨光电就职的那段时间，他贷款250万投资了“金太阳”工程，生产出第一个中国制造的磷化镓红绿led芯片。再之后唐国庆先生就职于cree中国的前身，华刚光电担任中
http://blog.alighting.cn/178081/archive/2013/7/23/321901.html2013/7/23 15:33:31
在室温条件下，以镓为主要成分的液态金属可以像水一样流动。（科学报童岱摄）中科院理化所全球首创的液态金属热管理技术，突破了传统技术观念，其本身拥有的相关特性，使其有望成为第四代芯
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/7/14/320979.html2013/7/14 20:44:27
目了。目前而言，led黄色荧光粉、绿色荧光粉和红色荧光粉，包括新型氮化物荧光粉、氮氧化物荧光粉等，全产业链、全系列比较热门的体系方面都有一个新研发小组，这都与国家对稀土材料的扶持是分不
http://blog.alighting.cn/17230/archive/2013/7/8/320625.html2013/7/8 20:48:48
管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化镓（inGaN）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/27/320061.html2013/6/27 16:27:01
亿美元。在高亮度led产品中，GaN基芯片由于产品附加值高，各国（地区）竞相扩大产能。GaN芯片的产能主要集中在台湾和日本，但中国大陆和韩国产能增长迅速，也成为重要的生产区
http://blog.alighting.cn/sbf6103/archive/2013/6/22/319750.html2013/6/22 23:28:55
