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由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
本资料来源于2013新世纪LED高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率LED的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，
https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37
LED 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(gan)和铟氮化稼(ingan)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
n 计划将这些系统用于商业化生产适用于各种电力和射频电子设备的6 英寸硅基氮化镓晶片，以及开发新一代200 毫米硅基氮化镓晶
https://www.alighting.cn/news/20120718/113357.htm2012/7/18 14:55:49
tdi公司，复合氮化物半导体材料领先开发商和供应商，宣布推出世界首个氮化铟镓衬底材料。
https://www.alighting.cn/news/20070821/121190.htm2007/8/21 0:00:00
据辽宁盘锦高新技术产业开发区报道，近日，辽宁百思特达半导体科技有限公司氮化镓项目正式开工建设，这距离该项目10月4日落户盘锦高新区还不足一个月时间。
https://www.alighting.cn/news/20191111/164987.htm2019/11/11 9:18:30
主要规定了氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片的技术要求、检验方法、检验规则、标志的规定、包装、运输和贮存的要求，以及相关工艺和工艺环境的要求等。本标准适用于制备半导体发光二极管的外
https://www.alighting.cn/news/20110729/109464.htm2011/7/29 16:03:22
以碳化硅(sic)、氮化镓(gan)为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视，半导体企业正在竞相加速布局。日前，意法半导体宣布已签署收购法国氮化镓创新企业exagan公司的多数股
https://www.alighting.cn/news/20200311/167030.htm2020/3/11 9:59:11
6月10日，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报
https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40
