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京银河 soho)风格一致，外部呈现出连续起伏的曲线，流畅动感。内部则独有一套空间架构体系——为实现从天花板、墙壁到地板的紧密对接，除了材料上的尝试(如选择可塑性强大的激光熔覆材
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/20/175449_93.htm2013/12/20 17:54:49
为改善gan 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
为了获得充分的白光led光束，曾经开发大尺寸led芯片，试图以此方式达成预期目标。实际上在白光led上施加的电功率持续超过1w以上时光束反而会下降，发光效率则相对降低20%~30
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/11/153931_83.htm2013/12/11 15:39:31
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
https://www.alighting.cn/resource/20131115/125118.htm2013/11/15 14:10:25
由于led 出身于半导体行业，一直以来，led 都是按照iec 60825-1 进行检测。但是照明用led 的宽光谱和扩散光束输出特性与激光led 存在显著的不同，iec6082
https://www.alighting.cn/resource/2013/11/15/113332_65.htm2013/11/15 11:33:32
极(p极，n极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方
https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22
在si衬底gan基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42
利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
