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报道显示，三星打算把原来的LED生产线“line 3”、“sr line”整并为一条，转移到位于京畿道器兴的“line 5”。line 5原本负责生产三星的系统半导体，但该公司决
https://www.alighting.cn/news/20150317/97057.htm2015/3/17 9:14:55
讲。为让网友深入了解晶能光电发展近况以及未来战略布局，新世纪LED网记者独家专访了晶能光电有限公司硅衬底LED研发副总裁孙钱博
https://www.alighting.cn/news/20130531/85317.htm2013/5/31 14:12:14
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基LED 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基LED, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
来自德国卡尔斯鲁厄理工学院(kit)和加拿大多伦多大学的科研人员借助硅纳米晶体，成功制造出了高效的硅基发光二极管(siLEDs)，其不含重金属，却能够发射出多种颜色的光。
https://www.alighting.cn/news/2013221/n577249058.htm2013/2/21 9:24:53
n 计划将这些系统用于商业化生产适用于各种电力和射频电子设备的6 英寸硅基氮化镓晶片，以及开发新一代200 毫米硅基氮化镓晶
https://www.alighting.cn/news/20120718/113357.htm2012/7/18 14:55:49
f toronto)的科研人员借助硅纳米晶体，成功制造出了高效的硅基发光二极管(siLEDs)，该二极管不含重金属，却能够发射出多种颜色的
https://www.alighting.cn/news/2013225/n938249205.htm2013/2/25 16:08:13
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(LED)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领
https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00
硅上氮化镓(gan)LED的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
在si衬底gan基垂直结构LED的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
