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n 计划将这些系统用于商业化生产适用于各种电力和射频电子设备的6 英寸硅基氮化镓晶片，以及开发新一代200 毫米硅基氮化镓晶
https://www.alighting.cn/news/20120718/113357.htm2012/7/18 14:55:49
f toronto)的科研人员借助硅纳米晶体，成功制造出了高效的硅基发光二极管(siLEDs)，该二极管不含重金属，却能够发射出多种颜色的
https://www.alighting.cn/news/2013225/n938249205.htm2013/2/25 16:08:13
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(LED)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领
https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00
硅上氮化镓(gan)LED的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
在si衬底gan基垂直结构LED的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
6月10日，2015阿拉丁照明论坛之技术峰会隆重开启。“技术峰会ⅱ：芯片、封装与模块化技术”论坛在中国进出口商品交易会展馆-b区8号会议室顺利召开。晶能光电有限公司硅基LED研
https://www.alighting.cn/news/20150610/130039.htm2015/6/10 13:37:30
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光LED器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
记者近日特别专访采钰科技总经理暨执行长林俊吉先生、研发暨品保组织副总经理谢建成博士与事业发展二处处长曾德富先生，深入探讨晶圆级LED封装的优势以及未来LED 封装市场趋势。
https://www.alighting.cn/news/20100917/118477.htm2010/9/17 0:00:00
近日，碳化硅功率器件领域的市场领先者cree公司(nasdaq: cree)日前宣布推出最新z-rec?650v 结型肖特基势垒(jbs)二极管系列。
https://www.alighting.cn/pingce/20110111/123106.htm2011/1/11 17:17:17
