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flip chip led(倒装芯片)简介

为了克服正装芯片的这些不足,出现了倒装芯片(flip chip)结构,光从蓝宝石衬底取出,不必从电流扩散层取出。由于不从电流扩散层出光,这样不透光的电流扩散层可以加厚,增加fli

  https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26

映瑞光电推出垂直结构芯片 在高端领域再下一程

继2014年5月份映瑞光电技术团队推出倒装结构芯片后,于2014年6月30日又正式推出er-cz系列高质量垂直结构led芯片, 目前试产产品为er-cz-1818(如图1所

  https://www.alighting.cn/news/2014820/n040265094.htm2014/8/20 18:28:02

解析!tsmc倒装模组

这一款模组采用了通用的六角形基板设计,能符合大部分照明企业的使用习惯。采用4颗倒装产品串联,工作电压12v,推荐使用额定电流为500ma,最大使用电流为700ma。但,通过其光

  https://www.alighting.cn/resource/20141208/123957.htm2014/12/8 16:13:38

倒装时代”的昨天、今天、明天

6月4日,国内最早研制倒装led芯片的企业--晶科电子将在ofweek中国高科技行业门户网站举办"倒装技术支持的无金线封装led产品发展"在线语音研讨会。作为国内唯一能够量产无金

  https://www.alighting.cn/news/20140515/108575.htm2014/5/15 11:05:29

映瑞光电推出er-cz系列垂直结构led芯片

继2014年5月份映瑞光电技术团队推出倒装结构芯片后,于2014年6月30日又正式推出er-cz系列高质量垂直结构led芯片, 目前试产产品为er-cz-1818,驱动电流为15

  https://www.alighting.cn/pingce/20140820/121599.htm2014/8/20 17:40:58

德豪润达上半年或盈利 倒装芯片将成主流

另外,德豪润达在全景网互动平台上表示,由于芯片的结构不同,倒装芯片的综合性能比正装芯片有较大的优势,公司觉得未来倒装芯片一定会成为led芯片的主流产品。

  https://www.alighting.cn/news/20140523/110819.htm2014/5/23 9:40:01

采用mocvd方法在gaas衬底上生长zno和zno薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10

  https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08

led芯片倒装工艺原理以及发展趋势(下)

正装结构和垂直结构的芯片是gan与荧光粉和硅胶接触,而倒装结构中是蓝宝石(sapphire)与荧光粉和硅胶接触。gan的折射率约为2.4,蓝宝石折射率为1.8,荧光粉折射率为1.

  https://www.alighting.cn/resource/20140804/124386.htm2014/8/4 10:12:48

纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式oled的研究

采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜11

  https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05

蓝宝石衬底上磁控溅射法室温制备外延zno薄膜

在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的zno薄膜。采用原子力显微镜(afm)、x射线衍射仪(xrd)、可见-紫外分光光度计系统研究了zno薄膜微观结

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18

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