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芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

pps聚苯硫醚聚苯硫醚板棒

聚苯硫醚全称为聚苯硫醚,是分子主链中带有苯硫的热塑性树脂,英文名为polyphenylene sulfide(简称pps)。pps是结晶型(结晶度55%-65%)的高刚性白

  http://blog.alighting.cn/stqxcl/archive/2010/1/22/25854.html2010/1/22 21:57:00

高功率陶瓷金卤灯的发展和应用

前言:陶瓷金卤灯是在石英金卤灯和高压钠灯制造技术的础上发展起来的、既具有高压钠灯的高光效、克服了高压钠灯色温低、显色性差的缺点,又有比石英金卤灯显色性更好、光色更稳定、光衰更小

  http://blog.alighting.cn/1070/archive/2007/11/26/8329.html2007/11/26 19:28:00

armor 阿尔膜apr6混合碳带

armor 阿尔膜apr6混合碳带 广州万碧是armor系列碳带在中国地区的代理商 armor(呵护打印头、防止静电)碳带:armor awr470碳带、armor awr

  http://blog.alighting.cn/gzmilliontech/archive/2010/10/29/110591.html2010/10/29 14:37:00

广州大头样板楼建筑照明设计

望的明暗阴影的强烈对比,突出光影衬托下建筑物的立面美感。  此次使用的小功率陶瓷金卤灯高显色性能对建筑材质清晰的表达,这是钠灯和led难以比拟的;色温3000k接近于黄昏时天空色

  http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279290.html2012/6/20 13:43:36

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