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《高压发光二极管(hv led)芯片开发及产业化》通过对普通蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备出正装高压发光二极管(hv le
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/162618_06.htm2011/6/20 16:26:18
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）a为正极，以n型半导体b为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
https://www.alighting.cn/resource/20110704/127473.htm2011/7/4 11:16:05
led技术：阿拉丁照明网资料频道提供全面的led技术资料免费下载。本文推荐的led技术资料是《gan基发光二极管合成照明光源的开发研究》。 摘要：gan基发光二极管合成照
https://www.alighting.cn/resource/2009116/V993.htm2009/11/6 14:25:58
本书系统地介绍有关白发光二极管的制造方法及固体照明。本书内容详细丰富，包括固体照明概述，发光二极管光取出原理及方法。附件为《半导体发光二极管及固体照明》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150319/83615.htm2015/3/19 19:37:57
通过引入散射理论建立了发光二极管模型,并考虑低计量率电离辐照损伤影响,建立了器件材料散射因子与辐照损伤的关系模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件在不同辐照条件下的电学特
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127298.htm2011/8/18 14:31:26
技术描述：奈米粒子或量子点会增加电子态密度(density of state)，因而增加材料的发光效率。这些小尺寸的发光奈米粒子可用化学的方法形成奈米胶体粒子均匀分散在溶剂中，或
https://www.alighting.cn/resource/20060522/128933.htm2006/5/22 0:00:00
域有限差分方法进一步讨论了无序光子晶体对石墨点阵柱状中心柱光子晶体gan发光二极管模型光输出效率的影响·计算结果表明,无序对这种光子晶体发光二极管模型光输出效率的影响较小,且这种影
https://www.alighting.cn/2013/2/1 13:16:45
美国科学家成功制造出波长255nm、功率0.57w以及波长250nm、功率0.16w的紫外发光二极管(led)。该组件目前尚未封装，该研究小组希望藉由覆晶接合(flip-chi
https://www.alighting.cn/resource/20041101/128434.htm2004/11/1 0:00:00
介绍了发光二极管(led)的发展简史。提出可能影响led可靠性的几种因素,主要有封装中的散热问题和led本身材料缺陷。对于led可靠性,主要方法是通过测试其寿命来分析其可靠性,一
https://www.alighting.cn/2013/5/29 10:20:47
