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五步轻松搞定led照明电源单级pfc高频变压器设计

步:计算初级匝数np:查磁芯资料,pq3230的AL值为:5140nh/n^2,在设计反激变压器时,要留一定的气息。选择0.6倍的AL值比较合适。在这里AL我们取:AL=260

  http://blog.alighting.cn/153873/archive/2014/1/23/347448.html2014/1/23 13:03:04

氧化铝及硅led集成封装基板材料的热阻比较分析

基板的选择中,氧化铝(AL2o3)及硅(si)都是目前市面上已在应用的材料,其中氧化铝基板因是绝缘体,必须有传导热设计,藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体,但绝缘性不

  https://www.alighting.cn/resource/20131126/125080.htm2013/11/26 15:44:16

比亚迪照明最新产品led蜡烛灯全面测评

AL),并通过全面的测评数据解析,使您能更深入的了解

  https://www.alighting.cn/pingce/20131022/123395.htm2013/10/22 10:58:42

两步镀膜ti/AL/ti/au的n型gan欧姆接触研究

n,最后蒸镀ti(100nm)/au(1000nm)用于保护AL层不被氧化。该接触电极有良好的欧姆接触特性,比接触电阻率为8.8×10-5ωcm2,表面平坦、稳定、易焊线,可应用于制

  https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54

科威特哈姆拉购物中心阿拉伯香水店室内照明设计

葡萄牙摄影师nelson garrido给我们分享了这个神秘诱人的阿拉伯香水店。香水店位于科威特哈姆拉购物中心,由archjs jassim AL sheha

  https://www.alighting.cn/case/2013/7/31/101544_23.htm2013/7/31 10:15:44

大功率led陶瓷封装技术研究

本文通过使用a1n和AL203这两种陶瓷基板作为大功率led的封装基板,主要研究了陶瓷基板作为封装基板在在改善散热方面的优势、基板工作时温度、光效和电流的关系,并和铝基覆铜板作

  https://www.alighting.cn/2013/7/26 13:43:47

高性能背照式gan/ALgan p-i-n紫外探测器的制备与性能

石,缓冲层为ALn,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂AL0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的gan,p型层为0.15μm的mg掺杂gan。采用cl2、a

  https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13

mocvd外延AL_2o_3基ALgan/gan超晶格的结构和光学特性

通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(AL2o

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

sr2+对白光led用荧光粉yag∶ce3+的增红研究

采用共沉淀法合成y2.78-xsrxgd0.1AL5o12∶0.06ce3+系列荧光粉,用x射线衍射仪、荧光分光光度计对粉体晶型、发光性能进行表征。采用hsp-6000光谱分析

  https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:43:03

led外延结构的内量子效率的提高方法

度要大于AL(activelayer),AL采用量子阱结构可以更好的限制载流子,从而提升iqe。另外一方面,采用量子阱AL,barriers阻碍载流子在相邻阱的移动,所以采用多量子

  http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11

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