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步:计算初级匝数np:查磁芯资料,pq3230的AL值为:5140nh/n^2,在设计反激变压器时,要留一定的气息。选择0.6倍的AL值比较合适。在这里AL我们取:AL=260
http://blog.alighting.cn/153873/archive/2014/1/23/347448.html2014/1/23 13:03:04
基板的选择中,氧化铝(AL2o3)及硅(si)都是目前市面上已在应用的材料,其中氧化铝基板因是绝缘体,必须有传导热设计,藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体,但绝缘性不
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125080.htm2013/11/26 15:44:16
称AL),并通过全面的测评数据解析,使您能更深入的了解
https://www.alighting.cn/pingce/20131022/123395.htm2013/10/22 10:58:42
n,最后蒸镀ti(100nm)/au(1000nm)用于保护AL层不被氧化。该接触电极有良好的欧姆接触特性,比接触电阻率为8.8×10-5ωcm2,表面平坦、稳定、易焊线,可应用于制
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
葡萄牙摄影师nelson garrido给我们分享了这个神秘诱人的阿拉伯香水店。香水店位于科威特哈姆拉购物中心,由archjs jassim AL sheha
https://www.alighting.cn/case/2013/7/31/101544_23.htm2013/7/31 10:15:44
本文通过使用a1n和AL203这两种陶瓷基板作为大功率led的封装基板,主要研究了陶瓷基板作为封装基板在在改善散热方面的优势、基板工作时温度、光效和电流的关系,并和铝基覆铜板作
https://www.alighting.cn/2013/7/26 13:43:47
石,缓冲层为ALn,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂AL0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的gan,p型层为0.15μm的mg掺杂gan。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(AL2o
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
采用共沉淀法合成y2.78-xsrxgd0.1AL5o12∶0.06ce3+系列荧光粉,用x射线衍射仪、荧光分光光度计对粉体晶型、发光性能进行表征。采用hsp-6000光谱分析
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:43:03
度要大于AL(activelayer),AL采用量子阱结构可以更好的限制载流子,从而提升iqe。另外一方面,采用量子阱AL,barriers阻碍载流子在相邻阱的移动,所以采用多量子
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11