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由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59
采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性GaN薄膜。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56
东芝照明技术公司开发出了在电源电路中应用GaN功率元件的卤素led灯泡。新产品将在2015年3月6日推出。与原来采用硅功率元件时相比，采用GaN功率元件后，能够以相当于前者约10
https://www.alighting.cn/news/20150304/83130.htm2015/3/4 13:41:39
采用 x 光双晶衍射仪分析了 GaN 基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成 GaN2-led 芯片 , 对分组抽取特定区域芯片封装成的 GaN2led 器件进行可靠性试验 。对
https://www.alighting.cn/news/20091221/V22250.htm2009/12/21 7:50:32
材料供应商atmi公司已将其GaN业务以1025万美元的价格出售给cree公司。
https://www.alighting.cn/news/20051212/116460.htm2005/12/12 0:00:00
韩国高丽大学材料科学与工程系主任tae yeon seong 教授在题为《通过增强电流注入和传输来提高GaN基发光二极管性能》的报告中首先概括总结GaN基led的应用，然后详细介
https://www.alighting.cn/news/20080801/104244.htm2008/8/1 0:00:00
2016阿拉丁照明论坛 “光源器件技术发展与市场化” 技术峰会上，华灿光电股份有限公司副总裁王江波做了主题为“高效GaN基led的研究进展”的精彩演讲。
https://www.alighting.cn/zhanlan/20160610/141024.htm2016/6/10 16:17:39
1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
https://www.alighting.cn/resource/20101124/128212.htm2010/11/24 17:57:30
本文就“GaN材料的特性与应用，GaN是什么？”做了简要的分析概述，以飨读者；
https://www.alighting.cn/resource/20101210/128138.htm2010/12/10 13:45:00
