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探究矽衬底GaNled技术与前景

目前市场上led用到的衬底材料有蓝宝石、碳化矽sic、矽si、氧化锌 zno、 以及氮化镓GaN,中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石,而就全球范围来看,蓝宝石衬底的led市场份

  https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:09:56

GaN蓝光led关键技术进展

以高亮度GaN 蓝光led 为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击, 并成为目前全球半导体领域研究和投资的热点。本文首先综述了GaN 材料的本特性, 分析了ga

  https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56

GaN功率led电应力老化早期的退化特性

大,衰减较快。该结果对GaN led的改进有一定参考价

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

GaN能否战胜蓝宝石

在si板上形成的led应该比蓝宝石板led便宜得多。硅晶圆的价格一直低于蓝宝石晶圆,今后这一情况也仍将继续,因此使用硅GaN板的削减成本的效果可立即表现出来。削减成本最有

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 14:24:25

氧化对GaNled透明电极接触特性的影响

研究了热退火对inGaN/GaN多量子阱led的ni/au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52

电子束辐照对GaNled发光性能的影响

研究了不同能量的电子束辐照对GaN发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaNled外延片进

  https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14

GaN led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化镓(GaN)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底,因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

第三代半导体材料GaN产业现状和投资机会

作为一种化合物半导体材料,GaN材料具有许多硅半导体材料所不具备的优异性能,包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中GaN区别于第一和第二代半导体材料最重

  https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00

光鋐再订两台ccs mocvd生产GaN led

2007年5月24日,台湾光鋐科技(epileds)订下两台thomas swan(aixtron子公司)ccs crius 30x2英寸mocvd订单,用于量产高亮(hb)ga

  https://www.alighting.cn/news/20070525/119895.htm2007/5/25 0:00:00

提高GaN发光二极管外量子效益的途径

发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展,本文主要介绍了提高GaNled外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射层(db

  https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35

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