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GaN在 (0 0 0 1)方向是一种极性极强的半导体材料 ,它具有极强的表面特征 ,是目前发现的最好的压电材料 ,而GaN的极性呈现出体材料的特征 ,它的测量要用一些特殊的方
https://www.alighting.cn/resource/20110423/127701.htm2011/4/23 18:39:53
宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
近日，台湾力晶在董事会上透露出将与合肥市政府合资设立合肥晶合集成电路公司(简称“晶合集成”)，兴建12英寸晶圆代工厂的消息。如果一切顺利，力晶很有可能超越目前正在考虑西进大陆的
https://www.alighting.cn/news/20150707/130724.htm2015/7/7 9:34:01
主要内容：hb-led制造费用分解表、晶圆级芯片市场封装趋势、led封装类型的发展趋势、晶圆级封装技术的注意事项、led wlp的产业发展等。
https://www.alighting.cn/resource/2011/12/6/105355_26.htm2011/12/6 10:53:55
传统的氮化镓(GaN)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
GaN 芯片的产能主要集中在台湾和日本，但中国大陆和韩国产能增长迅速，也成为重要的生产区域。
https://www.alighting.cn/news/20060831/92234.htm2006/8/31 0:00:00
对于高亮度led制造业来说，蓝宝石上GaN明显是一种领先的方案;sic上GaN几乎也一样，对眼下基于氮化物的无线/射频产品而言，它是一张中奖彩票。硅上GaN也是用于这几个市场，但
https://www.alighting.cn/resource/20101201/128165.htm2010/12/1 15:21:37
GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
https://www.alighting.cn/resource/20110331/127800.htm2011/3/31 14:58:54
台积电日前表示希望在中国大陆建立全资12吋晶圆厂，目前正在评估相关项目的可行性。台积电在4月16日举行的投资者会议上表示，在中国大陆建立12吋晶圆厂目前还没有时间表。台积电一些主
https://www.alighting.cn/news/20150421/84724.htm2015/4/21 9:39:16
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
