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良率高达99.9%的8寸高压mos管晶圆

计公司,我们的ic芯片/在业界久负盛名。我们既可以给你提供成品高压mos管,也可以给您提供mos管8寸晶圆,500v,650v均可提供,封装形式有to-220/220f,to-251

  http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/12/13/303373.html2012/12/13 15:23:13

更小更易于封装的8寸晶圆专用于内置mos的ic

产品优势:1、晶圆纯度良率更高、制造出来芯片质量更好对能源更加节省。2、在机器上采用8寸生产制造,单片晶圆板上我们裸片数量是6寸的2倍以上,生产、封装成本上更加节省。3、在封装上

  http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/12/13/303375.html2012/12/13 15:26:13

[转载]2011年GaN led市场有望增长38% 达到108亿美元

%。 2010年GaN mocvd的出货量   2010年第四季度,中国mocvd的采购量增加了一倍,数量比例从31%至64%,而韩国所占的数量比例从27%下降到只有5

  http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/7/11/229448.html2011/7/11 21:43:00

[转载]台英合作led研发 开发高亮度led晶圆级封装制程

d instruments)于23日正式进驻工研院微机电开放实验室成立研发中心,将针对hb-led(高亮度led)后段晶圆级封装制程及整合微结构技术,共同研发新的改良技术,未来可望技转给台湾厂商,加速提

  http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230923.html2011/7/26 21:54:00

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

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