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摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性与尺
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35
1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响GaN材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等GaN类半导体材料的led芯片，则使用蓝宝石、sic和si等作为基片，如果是红色led等采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
备。2.氢化物汽相外延片(hvpe)技术 采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜，可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶ga
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将zno（氧化锌）类紫外led的发光强度提高到了100μw，为原来产品的1万倍。这一发光强度是inGaN与GaN类紫外led的约110倍。
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180479.html2011/5/27 22:40:00
汽相晶圆(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位错密度的厚膜,可以用做采用其它方法进行同质晶圆生长的衬底。并且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvp
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
修二目前在美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校（ucsb）任教授一职。ucsb对于中村开发的GaN基半导体光器件表示，“这是在过去30年半导体材料科学领域中，最为重要的成就之一”。其
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2014/10/9/358745.html2014/10/9 16:35:03
．材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要,衬底材料的制备要求简洁,成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。当前用于GaN基led的衬底材料比较多,但是能用于商品化的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
