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exalos成功生产GaN sled:寿命超5000小时

瑞士半导体光源开发商exalos公司已经成功测试氮化镓(GaN)超辐射发光二极管(sled)的寿命,在特定测试条件下,sled寿命预计能达到5000小时以上。exalos公司表

  https://www.alighting.cn/news/20160218/137029.htm2016/2/18 10:09:47

第三代半导体材料GaN产业现状和投资机会

作为一种化合物半导体材料,GaN材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能,包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中GaN区别于第一和第二代半导体材料最重

  https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00

中国:2010年GaN类led产量将达全球第2

中国国家半导体照明工程研发及产业联盟(csa)日前对外表示,中国的led市场将继续扩大,到2010年预计市值达到320亿元。而GaN类led的供货量到2010年可望超越日本,达

  https://www.alighting.cn/news/20071204/106417.htm2007/12/4 0:00:00

激光诱导下GaN的p型掺杂研究

采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn,利用脉冲激光辐照样品,使得zn掺入GaN中,得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试,得

  https://www.alighting.cn/news/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31

GaN非极性/半极性led与激光二极管新进展

ucsb 的shuji nakamura教授在题为《非极性/半极性led和ld的发展现状》的报告中介绍了极性c面led和用ammonothermal方法生长GaN块等相关问题。

  https://www.alighting.cn/news/20080726/103963.htm2008/7/26 0:00:00

日本开发出使用氧化镓基板的GaN类led元件

外媒报导,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件,预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。该led元件与以前使用蓝宝石基板的le

  https://www.alighting.cn/news/20110329/100897.htm2011/3/29 17:46:25

【alls视频】王成新:大功率GaN led技术

士发表了《大功率GaN led技术》的专题演

  https://www.alighting.cn/news/20110808/108974.htm2011/8/8 19:57:21

华灿光电王江波:高效GaN基led的研究进展

2016阿拉丁照明论坛 “光源器件技术发展与市场化” 技术峰会上,华灿光电股份有限公司副总裁王江波做了主题为“高效GaN基led的研究进展”的精彩演讲。

  https://www.alighting.cn/zhanlan/20160610/141024.htm2016/6/10 16:17:39

硅衬底GaN基大功率led芯片荣获 “阿拉丁神灯奖”

在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上,晶能光电硅衬底GaN基大功率led芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖,是目前为止国内唯一获奖的led芯片产品。

  https://www.alighting.cn/news/20140620/110996.htm2014/6/20 13:21:24

首尔半导体加入GaN基板阵营,npola性价比高动摇蓝宝石基板地位

唯首尔半导体以封装大厂身份积极加入GaN同质外延阵营,或对市场构成强烈的冲击。首尔半导体长期受制于其外延芯片产能限制,较大部分芯片资源来自集团外部,因此成本不具竞争力,在韩系三巨

  https://www.alighting.cn/news/20120710/113328.htm2012/7/10 10:18:36

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