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生长温度对si衬底zno薄膜结构的影响

通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09

通过电力线通信(plc)控制led照明系统

led照明不断成功地在500亿美元照明市场中开拓出越来越大的天地,这也丝毫不令人奇怪,因为与cfl(荧光灯)和白炽灯相比,led可以提供最佳能效。然而,led灯具制造成本很高,原

  https://www.alighting.cn/2013/2/21 10:35:01

sio2/si衬底制备zno薄膜及表征

m,hall和pl对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的zno薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47

led晶片的结构组成及颜色

色(580-595nm)、黄绿色(565-575nm)、纯绿色(500-540nm)、蓝色(435-490nm)、紫色(380-430n

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127978.htm2010/7/12 17:49:10

阿克苏诺贝尔办公照明工程资料

展的解决方案。本项目办公楼位于静安寺商圈1788大厦内,总面积为一万平方米,希望在项目中展现飞利浦绿色办公室照明解决方案,达到leed 白金奖要求;8w/㎡,500lux ;室内设

  https://www.alighting.cn/resource/2013/4/26/18039_16.htm2013/4/26 18:00:39

两步镀膜ti/al/ti/au的n型gan欧姆接触研究

报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型gan欧姆接触。首先在掺硅的n型gan(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi

  https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54

低温cvd法在玻璃衬底上制备zno纳米线阵列

征。结果表明:源分解温度1350℃,衬底温度450~500℃,氩气流量为35sccm时,zno纳米线在玻璃衬底上呈现有序生长;xrd谱图中只观测到zno(002)衍射峰。表明制备的纳

  https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19

低压mocvd生长参量对ⅱ型inas gasb超晶格材料表面形貌的影响

响,得出生长温度在500℃~520℃,无过渡层,使用inassb界面层有利于改善材料的表面形貌

  https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59

gan基大功率白光led的高温老化特性

对大功率gan基白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%~33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原

  https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17

苏州圆融天幕项目管理实践与创新

圆融天幕位于苏州cbd核心,全长约500米,宽32米,高约21米。其上层采用etfe气枕,每个气枕长度为8.4米,宽度为4.2米,总共为292个气枕。下层为ptfe穿孔膜材用于悬

  https://www.alighting.cn/2012/2/16 19:57:00

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