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为改善gan 基发光二极管( light??emitting diode, led) 的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的gan层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)
https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21
分析了脉冲激光作用下gan的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下gan/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56
为改善gan 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
最近面世的新技术使led能够达到更高的功率水平。led能够达到一瓦特的水平，有些甚至高达5瓦特，每瓦特能发出18-44流明(lumen)的光亮。这种led设备称为高亮led(hb-
https://www.alighting.cn/resource/200999/V20860.htm2009/9/9 11:19:47
本文基于光传输的多叉树原理，研究了用于惯性约束聚变的高功率激光装置终端光学系统中多级衍射和多次反射杂散光与鬼点分布，根据光线经色分离光栅的传播规律进行了实际鬼光路计算，对聚焦透镜
https://www.alighting.cn/resource/20140428/124626.htm2014/4/28 13:36:55
采用激光诱导掺杂的方法对gan进行p型掺杂。在gan样品上溅射上一层zn，利用脉冲激光辐照样品，使得zn掺入gan中，得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试，得
https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
本文采用pc与plc相结合的技术实现了大功率led自动分选,介绍了针对luxeon emitter型led的大功率led全自动分选机的设计和具体实现,并以1瓦led为对象进行了实
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125745.htm2013/4/11 10:52:51
为adobeaftereffects7.0的注册机，欢迎下载使
https://www.alighting.cn/resource/2009213/V746.htm2009/2/13 9:46:06
